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            WLCSP封裝技術

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                   晶圓片級芯片規模封裝(Wafer Level Chip Scale Packaging,簡稱WLCSP),即晶圓級芯片封裝方式,不同于傳統的芯片封裝方式(先切割再封測,而封裝后至少增加原芯片20%的體積),此種最新技術是先在整片晶圓上進行薄膜沉積,黃光和電化學沉積等制程封裝和測試,再切割成尺寸與裸片完全一致的芯片成品,不需經過打線和填膠程序,封裝后的芯片尺寸和裸芯片幾乎一致。達到了小型化的極限(封裝效率接近100%),符合消費類電子產品輕、小、短、薄化的市場趨勢,并具有密度大、低感應、低成本、散熱能力佳等優點。其封裝成本的優勢隨著晶圓尺寸的增大和芯片尺寸的減小而更加明顯。



            CSP StructurePI Thickness

            UBM Thickness

            Other

            1P1M

            (PI+U+CSP)

            5um/10um

            8um

            Min.Ball Pitch:0.3mm

             Min.Ball Size: 0.15mm

            Min.PI Opening:30um

            Min.Trace Line X Space:10X10um 

            2P1M

            (PI+RDL+PI+CSP)

            1st PI 5um

            2nd PI 10um

            8um

            2P2M

            (PI+RDL+PI+UBM+CSP)

            1st PI 5um

            2nd PI 10um

            RDL:5um

            UBM:8um

            3P3M

            (PI+RDL+PI+RDL+UBM+CSP)

            1st PI 5um

            2nd/3rd PI 10um

            RDL:5um

                      UBM:8um     



            Pitch

            (um)

            Product TypeBump Height(um)Bump Diameter(um)UBM Size(um)
            3001P1M/2P2M100±20180±20180
            2P1M100±20165±20160
            4001P1M/2P2M195±20270±20240
            2P1M200±20260±20210
            5001P1M/2P2M235±20320±20280
            2P1M235±20310±20240
            600
            1P1M/2P2M280±20370±20320
            2P1M280±20360±20300

                 APPLication:


                 IPD,PMU,Local Power,VCM Driver,Switch,Audio& Video,EEPROM,MEMS&Sensor,PA


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