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            技術應用

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            CuPillar封裝技術

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                銅凸塊制程即wafer從晶圓加工完成基體電路后,利用涂膠、黃光、電鍍及蝕刻制程等制作技術通過在芯片表面制作銅錫凸點,提供了芯片之間、芯片和基板之間的“點連接”,由于避免了傳統Wire Bonding 向四周輻射的金屬“線連接”,減小了芯片面積(封裝效率100%),此外凸塊陣列在芯片表面,引腳密度可以做得很高,便于滿足芯片性能提升的需求,并具有較佳抗電遷移和導熱能力以及高密度、低阻抗,低寄生電容、低電感,低能耗,低信噪比、低成本等優點。



            Cu-Pillar StructurePI ThicknessStandard Cu-PillarMicro Cu-Pillar

            1M

            (Dirctl Cu-Pillar)

            NA

            Pitch:150um

            Bump Size:80-100um

            Bunp Height:

            65um Cu+35um Sn

            Min.Pitch:90um

            Min.Bump Size:45um

            Bum Hemp:

            25um Cu+20um Sn

            1P1M

            (PI+Cu-Pillar)

            5um

            1P2M

            (PI+RDL+Cu-Pillar)

            5um

            2P2M

            1st PI+RDL+2ndPI+Cu-Pillar

            1st PI5um

            2ndPI 10um 



            1458266642377033.jpg

            Application:

            PMU.Smart.Card.RF.PA.MEMS&Sensor.ucontrollers.EEPROM/Dram/Flash/SRAM


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